Системы на кристалле с встр антеннам наногетерА3В5

В сборник вошли статьи сотрудников Федерального государственного автономного научного учреждения Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В. Г. Мокерова» Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН), опубликованные в период 20102017 гг. по новым направлениям исследований наногетероструктур А3В5 (арсенид галлия и нитрид галлия): расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот, создание фотопроводящих антенн для терагерцевых устройств. Статьи использованы при выполнении работ по заказу Минобрнауки России в рамках: ФЦП Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 20082015 годы, ФЦП Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 20092013 годы, ФЦП Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России» на 20072013 годы и на 20142020 годы.